本書立足于學(xué)界對稀磁半導(dǎo)體中是否存在鐵磁性及其內(nèi)在磁性機制的較大爭議問題，基于“三族氮化物稀磁半導(dǎo)體”在自旋電子學(xué)領(lǐng)域的潛在應(yīng)用，在自主研究與實驗基礎(chǔ)上，提出了稀磁半導(dǎo)體應(yīng)用面臨的困境以及解決路徑，即重點采用非磁性元素(Sn、Ti)摻雜和缺陷誘導(dǎo)成功地制備出具有室溫鐵磁性的AlN基稀磁半導(dǎo)體，并探測出其鐵磁性規(guī)律及其應(yīng)用價值。本書介紹了稀磁半導(dǎo)體的概念、制備方法、面臨的問題及AlN基稀磁半導(dǎo)體的研究進展和尚待解決的問題；材料物理基礎(chǔ)和固體理論。作者的主要創(chuàng)造性工作：一是采用非磁性元素(Sn、Ti)摻雜和缺陷誘導(dǎo)成功制備出具有室溫鐵磁性的AlN基稀磁半導(dǎo)體；二是采用缺陷誘導(dǎo)成功制備出具有室溫鐵磁性的硫化物基稀磁半導(dǎo)體。這一研究不僅對AlN基稀磁半導(dǎo)體從理論到實驗進行詳細論述與論證，而且實現(xiàn)了自旋電子學(xué)的一個突破。既具有學(xué)術(shù)價值，也具有時代價值和現(xiàn)實意義。