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射頻高阻硅基氮化鎵異質(zhì)結(jié)外延器件仿真設(shè)計(jì)及制備技術(shù) 
定 價(jià)：79 元
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本書以行業(yè)內(nèi)高阻硅(HRSi)基氨化鎵外延和材料的研究成果為基礎(chǔ)，以仿真設(shè)計(jì)為切入點(diǎn)，結(jié)合制備工藝，開展了基于高阻Si(111)襯底的氮化鎵(GaN)異質(zhì)結(jié)外延器件的技術(shù)研究。
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