本書以光電子能譜解析材料表面鍵電子性能為主要目標(biāo)，通過改變原子配位受力、受熱和摻雜等對哈密頓量中的晶體勢進(jìn)行微擾，以實(shí)現(xiàn)內(nèi)層電子的能級偏移，解析這些偏移并獲得(鍵長、鍵能、單原子能級、成鍵電子局域釘扎、非鍵電子極化原子結(jié)合能結(jié)合能密度和德拜溫度等)基本因變信息，以確定相應(yīng)的物理參量，并揭示物質(zhì)行為規(guī)律以實(shí)現(xiàn)有效控制。