本書是微電子技術領域的基礎教程。全書涵蓋了量子力學、固體物理、半導體材料物理以及半導體器件物理等內容，共分為三部分，第一部分介紹基礎物理，包括固體晶格結構、量子力學和固體物理；第二部分介紹半導體材料物理，主要討論平衡態(tài)和非平衡態(tài)半導體以及載流子輸運現(xiàn)象；第三部分介紹半導體器件物理，主要討論同質pn結、金屬半導體接觸、異

本書首先深入探討了量子力學基礎及其在物質、能帶理論、半導體和集成電路等領域的應用。從電子的波動性質、不確定性原理到量子隧穿效應，逐步揭示量子世界的奧秘。接著，通過能帶理論和半導體能帶結構的解析，闡明了半導體材料的電子行為。此外，還詳細介紹了摻雜半導體、晶格振動以及載流子輸運現(xiàn)象等關鍵概念。最后，探討了MOS結構、場效應

本書為1X電子裝聯(lián)職業(yè)技能等級證書（高級）考核配套題庫，以職業(yè)技能等級標準和培訓教材（高級）為依據(jù)進行編寫。題庫重點圍繞生產(chǎn)管理與準備、焊膏貼片膠涂敷、元器件貼裝、電子裝聯(lián)微焊接、自動接觸式與非接觸式檢測、返修技術、特種微焊接、故障診斷、分析與可靠性等角度進行。題庫分為知識要求試題和技能要求試題兩部分，并附有知識要求試

《碳化硅器件工藝核心技術》共9章，以碳化硅(SiC)器件工藝為核心，重點介紹了SiC材料生長、表面清洗、歐姆接觸、肖特基接觸、離子注入、干法刻蝕、電解質制備等關鍵工藝技術，以及高功率SiC單極和雙極開關器件、SiC納米結構的制造和器件集成等，每一部分都涵蓋了上百篇相關文獻，以反映這些方面的最新成果和發(fā)展趨勢�！短蓟�硅器

本書不僅介紹了半導體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對每種材料的關鍵刻蝕參數(shù)、對應的等離子體源和刻蝕氣體化學物質進行了詳細解釋。本書討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術，介紹了半導體廠商實際使用的刻蝕設備的類型和等離子體產(chǎn)生機理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，

本書系統(tǒng)地討論了第三代半導體材料SiC和GaN的物理特性，以及功率應用中不同類型的器件結構，同時詳細地討論了SiC和GaN功率器件的設計、制造，以及智能功率集成中的技術細節(jié)。也討論了寬禁帶半導體功率器件的柵極驅動設計，以及SiC和GaN功率器件的應用。最后對寬禁帶半導體功率器件的未來發(fā)展進行了展望。

目前以有機/聚合物和半導體量子點為代表的新型電致發(fā)光材料與器件受到了國內外眾多企業(yè)和人士的廣泛關注。本書從新型電致發(fā)光材料與器件原理，以及關鍵材料的開發(fā)與應用技術出發(fā)，內容涵蓋有機電致發(fā)光概念與過程、有機電致發(fā)光材料、有機電致發(fā)光器件、半導體量子點材料、半導體量子點電致發(fā)光器件、鹵素鈣鈦礦材料及其電致發(fā)光器件等。全書反

本書主要介紹了基于光學超晶格的光波長轉換技術，首先介紹了光學超晶格的基本概念以及基于光學超晶格的光波長轉換基本原理，其中包括基于不同效應的光波長轉換原理及實現(xiàn)方案、耦合波方程的龍格庫塔解法、遺傳算法在光學超晶格結構設計中的應用；然后分別講解了均勻分段結構光學超晶格、階梯分段結構光學超晶格、啁啾結構光學超晶格及其在光波長

本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導體制造工藝的各個技術環(huán)節(jié)。全書共分為11章，分別是：功率半導體的全貌、功率半導體的基本原理、各種功率半導體的原理和作用、功率半導體的用途與市場、功率半導體的分類、用于功率半導體的硅片、功率半導體制造工藝的特點、功率半導體生產(chǎn)企業(yè)介紹、硅基功率半導體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的碳化硅與氮化

本書共分為14章，詳細闡述了LED的基本特性，作為植物輔助照明系統(tǒng)的使用，在農(nóng)業(yè)經(jīng)濟和控制環(huán)境農(nóng)業(yè)中的各種應用，以及LED在體內和體外調節(jié)植物形態(tài)發(fā)生的作用等內容，體現(xiàn)了LED技術在現(xiàn)代農(nóng)業(yè)領域中應用的最新研究成果。