本書旨在向材料及微電子集成相關專業(yè)的高年級本科生、研究生及從事材料與器件集成行業(yè)的科研人員介紹柵介質(zhì)材料制備與相關器件集成的專業(yè)技術。本書共10章，包括了集成電路的發(fā)展趨勢及后摩爾時代的器件挑戰(zhàn)，柵介質(zhì)材料的基本概念及物理知識儲備，柵介質(zhì)材料的基本制備技術及表征方法；著重介紹了柵介質(zhì)材料在不同器件中的集成應用，如高κ與

本書介紹了當前主流的光學光刻、先進的極紫外光刻以及下一代光刻技術。主要內(nèi)容涵蓋了光刻理論、工藝、材料、設備、關鍵部件、分辨率增強、建模與仿真、典型物理與化學效應等，包括光刻技術的前沿進展，還總結了極紫外光刻的特點、存在問題與發(fā)展方向。

全書共分為4章，系統(tǒng)闡述了輻射誘導半導體缺陷的相關理論、數(shù)值模擬方法、表征技術及應用�？臻g輻射誘導缺陷是導致電子元器件性能退化的重要原因，然而輻射誘導缺陷的形成、演化和性質(zhì)與半導體材料本身物理屬性、器件類型及結構密切相關。

本書概述了氮化物半導體及其在功率電子和光電子器件中的應用，解釋了這些材料的物理特性及其生長方法，詳細討論了它們在高電子遷移率晶體管、垂直型功率器件、發(fā)光二極管、激光二極管和垂直腔面發(fā)射激光器中的應用。本書進一步研究了這些材料的可靠性問題，并提出了將它們與2D材料結合用于新型高頻和高功率器件的前景。本書具有較好的指導性和

超結是功率半導體器件領域的創(chuàng)新的耐壓層結構之一，它將常規(guī)阻型耐壓層質(zhì)變?yōu)镻N結型耐壓層，突破了傳統(tǒng)比導通電阻和耐壓之間的硅極限關系（Ron,spVB^2.5），將2.5次方關系降低為1.32次方，甚至是1.03次方關系，被譽為功率半導體器件發(fā)展的里程碑。本書概述了功率半導體器件的基本信息，重點介紹了作者在功率超結器件研

本書主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對象，系統(tǒng)地介紹了其納米孔結構的制備及特性研究，為其在光解水、發(fā)光器件、柔性器件及可穿戴設備等領域的應用奠定了理論和實驗基礎。

本書內(nèi)容包括4部分。第1部分介紹功率半導體器件的分類及發(fā)展歷程，主要包括功率半導體器件這個“大家族”的主要成員及各自的特點和發(fā)展歷程。第2部分介紹功率二極管，在傳統(tǒng)的功率二極管（肖特基二極管和PiN二極管）的基礎上，增加了JBS二極管和MPS二極管等新型單、雙極型二極管的內(nèi)容。第3部分介紹功率開關器件，主要分為傳統(tǒng)開關

硅通孔垂直互連技術是實現(xiàn)三維集成電路與微系統(tǒng)的關鍵核心技術。硅通孔可以有效縮短芯片間的互連距離，提高互連密度，從而實現(xiàn)更大的帶寬、更低的功耗和更小的尺寸。本書以作者多年來在垂直硅通孔結構、模型、制造工藝等方面的研究成果為基礎，系統(tǒng)全面地介紹硅通孔制備過程中的關鍵工藝技術，是一本講述基于硅工藝的三維垂直互連技術的專著。此

本書以數(shù)據(jù)分析為基礎，探討了半導體材料及器件的特征參數(shù)分析和檢測的方法和技術。全書共七章，包括數(shù)據(jù)的統(tǒng)計分析、半導體物理基礎、半導體材料的接觸及能帶結構測量、半導體缺陷及測量、載流子遷移率的測量、載流子動力學和太陽能電池的基本原理及表征，對相關材料專業(yè)學生和科研工作人員具有很好的參考價值和意義。

本書對標電子裝聯(lián)職業(yè)技能標準(中級)的考核方案，本題庫分為理論知識題庫和實操題庫兩部分。理論知識題庫按照工作任務進行劃分，每個任務的考核由判斷題、選擇題、簡述題和案例分析題四種題型構成；同時，為方便學員的自我學習、自我檢查，該題庫還提供了部分習題的參考答案，利于學習效果的檢測。實操題庫根據(jù)電子裝聯(lián)職業(yè)技能標準(中級)中