本書詳細(xì)介紹了鍺塵中鍺的二次富集及提取，全書共分7章，內(nèi)容包括緒論、實(shí)驗(yàn)方案、鍺塵基礎(chǔ)物理化學(xué)性質(zhì)及造塊、GeO2與氧化物間相互作用、鍺塵中鍺的二次富集研究、鍺的微波濕法提取研究、結(jié)論。

SMT是一門包含元器件、材料、設(shè)備、工藝以及表面組裝電路基板設(shè)計(jì)與制造的綜合電子產(chǎn)品裝聯(lián)技術(shù)，是在傳統(tǒng)THT通孔插裝元器件裝聯(lián)技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的新一代微組裝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體材料、元器件、電子與信息技術(shù)等相關(guān)技術(shù)的發(fā)展，使SMT組裝的電子產(chǎn)品更具有體積小、性能好、功能全、價(jià)位低的綜合優(yōu)勢(shì)，適應(yīng)了數(shù)碼電子產(chǎn)品向短、小、輕

這是一本介紹半導(dǎo)體工作原理的入門類讀物。全書共分4章，包括第1章的半導(dǎo)體的作用、類型、形狀、制造方式、產(chǎn)業(yè)形態(tài)；第2章的理解導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體的區(qū)別，以及P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的特性；第3章的PN結(jié)、雙極型晶體管、MOS晶體管、CMOS等；第4章涵蓋了初學(xué)者和行業(yè)人士應(yīng)該知道的技術(shù)和行業(yè)詞匯表。本書適合想學(xué)習(xí)半導(dǎo)體的

集成電路與等離子體裝備

《基于弛豫鐵電單晶PMN-PT的新型器件（英文版）》一書介紹了基于鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛晶體(PMN-PT)設(shè)計(jì)開發(fā)的原型器件，初步探索了鐵電材料在信息技術(shù)領(lǐng)域的新應(yīng)用。首先，利用PMN-26PT單晶作為介電層，單層二硫化鉬作為溝道半導(dǎo)體構(gòu)筑了一種光熱調(diào)控型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,為FET器件提供了一種新的策略。其次，采用銀納米線作為

本書共分為4章，內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件缺陷及失效分析技術(shù)概要、硅集成電路(LSI)的失效分析技術(shù)、功率器件的缺陷及失效分析技術(shù)、化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的缺陷及失效分析技術(shù)。筆者在書中各處開設(shè)了專欄，用以介紹每個(gè)領(lǐng)域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例題，這些例題出自日本科學(xué)技術(shù)聯(lián)盟主辦的“初級(jí)可靠性技術(shù)者”資格認(rèn)定考

作為國(guó)家信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)技術(shù)之一，光電子技術(shù)在寬帶互聯(lián)網(wǎng)、高性能計(jì)算、智能機(jī)器人、先進(jìn)制造和智慧城市等多個(gè)領(lǐng)域起到關(guān)鍵性支撐作用。它也因此成為了衡量一個(gè)國(guó)家綜合實(shí)力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的重要標(biāo)志。本書依據(jù)未來(lái)半導(dǎo)體光電子器件及光電集成系統(tǒng)發(fā)展趨勢(shì)，結(jié)合復(fù)合型人才培養(yǎng)需要，從半導(dǎo)體材料及其光電現(xiàn)象、半導(dǎo)體光電子器件的物理基礎(chǔ)入手，

本書介紹了熱敏(溫敏)電阻器的基本知識(shí)(分類、電導(dǎo)機(jī)制)、制備工藝、特性分析、測(cè)試表征。在儀器儀表中的應(yīng)用，溫度測(cè)量?jī)x表的研制，及其計(jì)量測(cè)試方法進(jìn)行了闡述。特別是從陶瓷中發(fā)生的電子過(guò)程出發(fā)，論述了陶瓷的半導(dǎo)化過(guò)程及電導(dǎo)機(jī)制。著重論述了電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用，計(jì)量示值誤差標(biāo)定方案和相關(guān)的計(jì)量技術(shù)規(guī)范，為熱敏陶瓷及其元件的制造、應(yīng)

彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機(jī)械變形-電場(chǎng)-熱場(chǎng)-載流子分布等物理場(chǎng)的耦合分析十分復(fù)雜�！稄椥园雽�(dǎo)體的多場(chǎng)耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)、連續(xù)介質(zhì)熱力學(xué)及靜電學(xué)的基本原理，建立了半導(dǎo)體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ)，采用材料力學(xué)及板殼力學(xué)的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的多場(chǎng)耦合問題，包括一維和二維壓電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（

擬申報(bào)中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)一流規(guī)劃教材。本書專為高年級(jí)本科生以及研究生的教學(xué)所需設(shè)計(jì)，主要介紹半導(dǎo)體器件基本原理的知識(shí)內(nèi)容，反映當(dāng)今半導(dǎo)體器件在概念和性能等方面的最新進(jìn)展，可以使讀者快速地了解當(dāng)今半導(dǎo)體物理和所有主要器件，如雙極、場(chǎng)效應(yīng)、微波和光子器件的性能特點(diǎn)。