本書共6章，主要介紹了硅基應變半導體物理的相關(guān)內(nèi)容，重點討論了如何建立硅基應變材料能帶結(jié)構(gòu)與載流子遷移率模型，并分析了應變對硅基應變材料能帶結(jié)構(gòu)與載流子遷移率的影響。通過本書的學習，可為讀者以后學習應變器件物理奠定重要的理論基礎。本書可作為高等院校微電子學與固體電子學專業(yè)研究生的參考書，也可供其他相關(guān)專業(yè)的學生參考。
本書是微電子技術(shù)領域的基礎教程。全書涵蓋了量子力學、固體物理、半導體材料物理及半導體器件物理等內(nèi)容，分成三部分，共計15章。第一部分為半導體材料屬性，主要討論固體晶格結(jié)構(gòu)、量子力學、固體量子理論、平衡半導體、輸運現(xiàn)象、半導體中的非平衡過剩載流子；第二部分為半導體器件基礎，主要討論pn結(jié)、pn結(jié)二極管、金屬半導體和半導體
本書主要討論窄禁帶半導體的基本物理性質(zhì)，包括晶體生長，能帶結(jié)構(gòu)，光學性質(zhì)，晶格振動，自由載流子的激發(fā)、運輸和復合，雜質(zhì)缺陷，表面界面，二維電子氣，超晶格和量子阱，器件物理和應用等方面的基本物理現(xiàn)象、效應和規(guī)律以及近年來的主要研究進展。在窄禁帶半導體物理研究過程中建立的新型實驗方法及器件應用也在書中有所介紹。
本書以正確闡述物理概念為主，輔以必要的數(shù)學推導，理論分析有一定深度，但又不是把基本物理概念淹沒在繁瑣的數(shù)學運算中，使讀者通過學習，達到對半導體中的各種基本物理現(xiàn)象有一全面正確的概念，建立起清晰的半導體物理圖像，為后續(xù)課程的學習，研究工作的開展，理解各種半導體器件，集成電路的工作機理打下良好的基礎。
本書為專著共分五章，前四章研究四類常見的半導體宏觀量子模型：量子漂移-擴散模型、量子能量輸運模型、量子Navier-Stokes方程組和雙極量子流體動力學模型。我們在一維有界區(qū)間上證明了量子漂移-擴散穩(wěn)態(tài)模型、量子能量輸運穩(wěn)態(tài)模型、量子Navier-Stokes穩(wěn)態(tài)方程組古典解的存在性以及雙極等溫量子流體動力學穩(wěn)態(tài)模型
本書是微電子技術(shù)領域的基礎教程。全書涵蓋了量子力學、固體物理、半導體材料物理及半導體器件物理等內(nèi)容，分成三部分，共15章。*部分為半導體材料屬性，主要討論固體晶格結(jié)構(gòu)、量子力學、固體量子理論、平衡半導體、輸運現(xiàn)象、半導體中的非平衡過剩載流子；第二部分為半導體器件基礎，主要討論pn結(jié)、pn結(jié)二極管、金屬半導體和半導體異質(zhì)
本書全面介紹半導體物理學的基本理論，以物理科學、材料科學與工程、電子技術(shù)的眼光全面審視半導體物理的發(fā)展過程和進展情況。 本書內(nèi)容包括半導體的晶體結(jié)構(gòu)、常見半導體的能帶結(jié)構(gòu)、半導體中雜質(zhì)和缺陷效應、載流子的統(tǒng)計計算方法、半導體導電特性、光電導效應、光伏效應、金屬半導體的接觸特性、半導體同質(zhì)PN結(jié)、半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)、MOS
編者根據(jù)使用情況和評審意見對原書作了適當修改，力圖以簡明扼要的方式全面、準確介紹半導體物理學的基礎知識及其新進展，內(nèi)容包括半導體的物質(zhì)結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)和缺陷、載流子的統(tǒng)計分布及其運動規(guī)律、非熱平衡態(tài)半導體、pn結(jié)、金屬-半導體接觸、異質(zhì)結(jié)、半導體表面、以及主要的半導體效應。
全書分上下兩篇,上、下兩篇既獨立成篇又互為聯(lián)系,隸屬于微電子相關(guān)專業(yè)的知識體系,其中每篇又由“基礎知識”和“實驗”兩部分構(gòu)成。上篇為“半導體物理實驗”,分別為構(gòu)建晶體結(jié)構(gòu)、仿真與分析晶體電子結(jié)構(gòu)、單波長橢偏法測試分析薄膜的厚度與折射率、四探針測試半導體電阻率、霍耳效應實驗、高頻光電導法測少子壽命、肖特基二極管的電流電壓
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