"為了應(yīng)對我國在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國家的局面,破解光刻制造設(shè)備、材料和光學(xué)鄰近效應(yīng)修正軟件幾乎完全依賴進(jìn)口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近20年的資深研發(fā)人員,作者肩負(fù)著協(xié)助光刻設(shè)備、材料和軟件等產(chǎn)業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責(zé)任,將為了應(yīng)對我國在集成電路領(lǐng)域，尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國家的局

以GaN為襯底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物（包括AlN、GaN、InN及相關(guān)合金）是極為重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，這類氮化物材料和器件的發(fā)展十分迅速。本書通過理論介紹與具體實(shí)驗(yàn)范例相結(jié)合的方式對氮化物半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)行介紹，并系統(tǒng)地講解了目前廣泛應(yīng)用的氮化物光電器件與氮化物電力電子器件，使讀者能夠充分了解二者之間內(nèi)在的聯(lián)系與區(qū)

半導(dǎo)體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書詳細(xì)描述和分析了半導(dǎo)體器件制造中的可靠性和認(rèn)定，并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規(guī)范定義、測試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、測試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析，以及工藝的最終認(rèn)定，是一本實(shí)用的、全面的指南，提供了驗(yàn)證前端器件和后端互連的測試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的實(shí)際范例。

本書以光學(xué)/儀表級復(fù)合材料為應(yīng)用背景，以高比模量、高比強(qiáng)度、低膨脹、高導(dǎo)熱及高尺寸穩(wěn)定性等性能為目標(biāo)，針對中等體積分?jǐn)?shù)SiCp/Al復(fù)合材料的制備及性能調(diào)控難題，介紹了粉末冶金法制備SiCp/Al復(fù)合材料優(yōu)化工藝，通過碳化硅顆粒尺寸調(diào)控實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料的性能改進(jìn)，進(jìn)一步介紹了不同碳化硅顆粒尺寸調(diào)控下復(fù)合材料的力學(xué)性能、界面

本書主要內(nèi)容是介紹TO2光催化劑的局限性，以及利用構(gòu)筑TiO2基納米異質(zhì)結(jié)來提高其光電化學(xué)性能。具體包括通過水熱法、陽極氧化等方法制備m&t-BiVO4/TiO2-NTAs、TiO2/PSA、CdS/PSA和CdS/TiO2-NTAs等納米異質(zhì)結(jié)光催化劑，分析它們的電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制和光電化學(xué)性能。

本書旨在系統(tǒng)探討超快光譜在半導(dǎo)體納米異質(zhì)結(jié)電荷轉(zhuǎn)移與光電化學(xué)性能方面的應(yīng)用，主要內(nèi)容包括納米異質(zhì)結(jié)復(fù)合體系的構(gòu)筑與表征，TiO2/Au/Cu2O納米管復(fù)合體系表(界)面紫外光生電荷動(dòng)力學(xué)行為，TiO2/BiVO4納米管復(fù)合體系表(界)面紫外光生電荷動(dòng)力學(xué)行為，TiO2/Mo2S納米管復(fù)合體系表(界)面紫外光生電荷動(dòng)力學(xué)

本書概述了業(yè)界前沿研究者所采取的技術(shù)方法，以及他們所面臨的挑戰(zhàn)和在該領(lǐng)域所取得的進(jìn)展。具體內(nèi)容包括寬禁帶半導(dǎo)體器件中的熱問題、氮化鎵(GaN)及相關(guān)材料的第一性原理熱輸運(yùn)建模、多晶金剛石從介觀尺度到納米尺度的熱輸運(yùn)、固體界面熱輸運(yùn)基本理論、氮化鎵界面熱導(dǎo)上限的預(yù)測和測量、AlGaN/GaNHEMT器件物理與電熱建模、氮

本書是國外學(xué)者們對寬禁帶半導(dǎo)體封裝技術(shù)和趨勢的及時(shí)總結(jié)。首先，對寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢做了總結(jié)和預(yù)演判斷，講述寬禁帶功率半導(dǎo)體的基本原理和特性，包括其獨(dú)特的物理和化學(xué)屬性，以及它們在極端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術(shù)和襯底展開論述，同時(shí)，介紹了磁性材料，并對不同材料結(jié)構(gòu)的熱性能，以及冷

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻低、擊穿電壓高、開關(guān)速度快及熱傳導(dǎo)性好等優(yōu)點(diǎn)，相比傳統(tǒng)的Si基功率器件，可簡化功率電子系統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，減小系統(tǒng)損耗和體積，因而對功率電子系統(tǒng)的發(fā)展至關(guān)重要。然而，由于寬禁帶器件的外延材料和制備工藝仍不完善，器件界面缺陷密度大等問題，使得寬禁帶功率器件在高溫、高

"本書基于作者團(tuán)隊(duì)多年的光刻工藝（包括先進(jìn)光刻工藝）研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，從集成電路工廠的基本結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體芯片制造中常用的控制系統(tǒng)、圖表等基本內(nèi)容出發(fā)，依次介紹光刻基礎(chǔ)知識(shí)，一個(gè)6晶體管靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的電路結(jié)構(gòu)與3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)中SRAM制造的基本工藝流程，光刻機(jī)的發(fā)展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型，光刻工藝標(biāo)準(zhǔn)化與