本書提供了在各個(gè)工藝及系統(tǒng)層次的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場趨勢和存儲(chǔ)應(yīng)用之后，本書重點(diǎn)介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機(jī)遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(NVM)和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲(chǔ)器

。本冊(cè)為《半導(dǎo)體工藝原理》，主要內(nèi)容包括：鍺和硅的化學(xué)制備與提純、半導(dǎo)體材料的生長、硅片加工、氧化工藝、薄膜沉積工藝、外延工藝、光刻工藝概述、光刻設(shè)備、光刻材料、刻蝕工藝、摻雜工藝等。

本書共7章，主要內(nèi)容包括緒論、半導(dǎo)體材料屬性實(shí)驗(yàn)、二極管特性實(shí)驗(yàn)、雙極型晶體管特性實(shí)驗(yàn)、場效應(yīng)晶體管特性實(shí)驗(yàn)、專用半導(dǎo)體特性實(shí)驗(yàn)、運(yùn)算放大器實(shí)驗(yàn)。本書涉及的實(shí)驗(yàn)分為半導(dǎo)體器件物理理論課程相配套的經(jīng)典實(shí)驗(yàn)、半導(dǎo)體器件物理前沿科技相關(guān)的器件實(shí)驗(yàn)，以及后續(xù)集成電路設(shè)計(jì)課程銜接的相關(guān)實(shí)驗(yàn)，形成了基礎(chǔ)性實(shí)驗(yàn)、設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)、綜合性實(shí)

本書系統(tǒng)總結(jié)具有電子相變特性的過渡族化合物半導(dǎo)體材料體系，詳細(xì)介紹其晶體結(jié)構(gòu)、電輸運(yùn)與磁性、電子相轉(zhuǎn)變?cè)�理、材料合成與潛在應(yīng)用等。全書共12章，其中第1章總述現(xiàn)有電子相變材料體系以及常見電子相變?cè)�理。由于具有相同的價(jià)電子數(shù)的過渡族元素的化合物中的軌道構(gòu)型具有一定相近性，第2～11章將進(jìn)一步按照副族周期元素對(duì)三十余種電子

本書共8章。其中，第1章介紹Si基GaN材料與芯片的研究意義，著重分析了GaN材料的性質(zhì)和Si基GaN外延材料與芯片制備的發(fā)展歷程。第2章從Si基GaN材料的外延生長機(jī)理出發(fā)，依次介紹了GaN薄膜、零維GaN量子點(diǎn)、一維GaN納米線和二維GaN生長所面臨的技術(shù)難點(diǎn)及對(duì)應(yīng)的生長技術(shù)調(diào)控手段。第3～7章依次介紹了Si基Ga

本教程在簡要介紹MOSFET場效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，全面敘述了MOSFET基本電學(xué)特性和二階效應(yīng)；介紹了MOSFET器件模型及建模測試結(jié)構(gòu)和方案設(shè)計(jì)；給出了MOSFETBSIM模型參數(shù)提取流程；介紹了半導(dǎo)體器件SPICE模型建模平臺(tái)EmpyreanXModel，深入介紹了XModel的基本功能和界面；介

本書作為職業(yè)學(xué)院教材，主要講述了光伏組件制造的基本操作規(guī)范與準(zhǔn)備工作、電池片的檢測、輔助材料的制備、電池片的焊接、劃片和疊層操作、層壓操作、裝框、清洗與固化、組件檢測與裝箱操作等內(nèi)容，希望通過理論教學(xué)，讓學(xué)生先從理論上掌握制造光伏組件的關(guān)鍵技術(shù)，然后再將理論與實(shí)際操作相結(jié)合，達(dá)到最終提升學(xué)生實(shí)際動(dòng)手能力，提升學(xué)生就業(yè)能

本書力圖全面深入地介紹太陽能電池的原理、技術(shù)與應(yīng)用，為讀者提供一本兼具理論深度和實(shí)踐指導(dǎo)的權(quán)威之作。本書詳細(xì)闡釋了太陽能與太陽能電池的基本物理原理與特性，系統(tǒng)梳理了各類太陽能電池的發(fā)展脈絡(luò)，深入探討了太陽能電池的測試原理與分析方法，重點(diǎn)介紹了太陽能電池性能提升的前沿技術(shù)，進(jìn)一步闡述了光伏發(fā)電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與應(yīng)用。

本書為《新興半導(dǎo)體》分冊(cè)。新興半導(dǎo)體發(fā)展迅速、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)性強(qiáng)、節(jié)能潛力大，被公認(rèn)為最有發(fā)展前景的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在消費(fèi)類電子、5G通訊、新能源汽車、智能電網(wǎng)、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本分冊(cè)圍繞新興半導(dǎo)體這一“核芯”領(lǐng)域，從高載流子遷移率半導(dǎo)體材料、憶阻半導(dǎo)體材料、新型紅外半導(dǎo)體材料及超寬禁帶半導(dǎo)體材料

本書詳細(xì)介紹了多芯片SiCMOSFET功率模塊設(shè)計(jì)所面臨的物理挑戰(zhàn)及相應(yīng)的工程解決方案，主要內(nèi)容包括多芯片功率模塊、功率模塊設(shè)計(jì)及應(yīng)用、功率模塊優(yōu)化設(shè)計(jì)、功率模塊壽命評(píng)估方法、耐高溫功率模塊、功率模塊先進(jìn)評(píng)估技術(shù)、功率模塊退化監(jiān)測技術(shù)、功率模塊先進(jìn)熱管理方案、功率模塊新興的封裝技術(shù)等。本書所有章節(jié)均旨在提供關(guān)于多芯片S