本書(shū)綜合了近幾年工業(yè)界的最新進(jìn)展和學(xué)術(shù)界的最新研究成果，詳細(xì)介紹并討論了碳化硅功率器件的基本原理、發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)、特性及測(cè)試方法、應(yīng)用技術(shù)和各應(yīng)用領(lǐng)域的方案。本書(shū)共分為12章，內(nèi)容涵蓋功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，SiC二極管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件與Si器件特性對(duì)比，雙脈沖測(cè)試技術(shù)，SiC器件的測(cè)試

《薄膜晶體管材料與技術(shù)》是戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域“十四五”高等教育教材體系——“先進(jìn)功能材料與技術(shù)”系列教材之一。本書(shū)歸納薄膜晶體管（TFT）材料、器件及制備技術(shù)，總結(jié)和梳理TFT相關(guān)的基礎(chǔ)理論知識(shí)，包括材料物理與化學(xué)、器件物理、工藝原理以及實(shí)際應(yīng)用設(shè)計(jì)原理，進(jìn)一步提出新見(jiàn)解，為T(mén)FT技術(shù)的發(fā)展提供理論指導(dǎo)和方向參考。本書(shū)以T

氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)，可滿足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求，在航空航天、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊，但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關(guān)系，且當(dāng)前對(duì)大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此，本論文在Ga2O3器件新結(jié)構(gòu)與熱穩(wěn)定性方面開(kāi)展理論和實(shí)驗(yàn)創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件

IGCT具有通態(tài)壓降低、容量大、可靠性高、魯棒性好等有點(diǎn)，目前已應(yīng)用在直流斷路器、模塊化多電平變換器、牽引系統(tǒng)變換器等應(yīng)用場(chǎng)景。本書(shū)圍繞IGCT器件，分別展開(kāi)介紹半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)及工作原理、阻斷特性、開(kāi)通與導(dǎo)通特性、關(guān)斷特性、封裝、驅(qū)動(dòng)、可靠性及應(yīng)用。同時(shí)，在各章中穿插IGCT的關(guān)鍵工藝技術(shù)，如深結(jié)推進(jìn)、邊緣終端、質(zhì)子輻

本書(shū)是一本微電子技術(shù)方面的入門(mén)書(shū)籍，全面介紹了半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識(shí)。全書(shū)分為三個(gè)部分共19章，首先介紹了半導(dǎo)體基礎(chǔ)，講解了半導(dǎo)體物理方面的相關(guān)知識(shí)以及半導(dǎo)體制備工藝方面的基本概念。書(shū)中闡述了pn結(jié)、雙極結(jié)型晶體管（BJT）和其他結(jié)型器件的基本物理特性，并給出了相關(guān)特性的定性與定量分析。最后，作者討論了場(chǎng)效應(yīng)器件，除了講

本書(shū)提供了在各個(gè)工藝及系統(tǒng)層次的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場(chǎng)趨勢(shì)和存儲(chǔ)應(yīng)用之后，本書(shū)重點(diǎn)介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機(jī)遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(NVM)和NAND閃存。本書(shū)還提及了嵌入式存儲(chǔ)器

。本冊(cè)為《半導(dǎo)體工藝原理》，主要內(nèi)容包括：鍺和硅的化學(xué)制備與提純、半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)、硅片加工、氧化工藝、薄膜沉積工藝、外延工藝、光刻工藝概述、光刻設(shè)備、光刻材料、刻蝕工藝、摻雜工藝等。

本書(shū)詳細(xì)介紹了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的結(jié)構(gòu)和工作原理、單元結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)；整個(gè)芯片架構(gòu)，包括有源區(qū)、柵極焊盤(pán)和邊緣終端；保護(hù)電路；用于控制所述器件的柵極驅(qū)動(dòng)電路；電路仿真模型。經(jīng)過(guò)作者的構(gòu)思和商業(yè)化，在過(guò)去的40年里，IGBT已成為大部分經(jīng)濟(jì)部門(mén)電源管理的重要器件。本書(shū)提供了各個(gè)經(jīng)濟(jì)部門(mén)中用于每個(gè)IGBT應(yīng)用的電路

本書(shū)共7章，主要內(nèi)容包括緒論、半導(dǎo)體材料屬性實(shí)驗(yàn)、二極管特性實(shí)驗(yàn)、雙極型晶體管特性實(shí)驗(yàn)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性實(shí)驗(yàn)、專(zhuān)用半導(dǎo)體特性實(shí)驗(yàn)、運(yùn)算放大器實(shí)驗(yàn)。本書(shū)涉及的實(shí)驗(yàn)分為半導(dǎo)體器件物理理論課程相配套的經(jīng)典實(shí)驗(yàn)、半導(dǎo)體器件物理前沿科技相關(guān)的器件實(shí)驗(yàn)，以及后續(xù)集成電路設(shè)計(jì)課程銜接的相關(guān)實(shí)驗(yàn)，形成了基礎(chǔ)性實(shí)驗(yàn)、設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)、綜合性實(shí)

本書(shū)系統(tǒng)總結(jié)具有電子相變特性的過(guò)渡族化合物半導(dǎo)體材料體系，詳細(xì)介紹其晶體結(jié)構(gòu)、電輸運(yùn)與磁性、電子相轉(zhuǎn)變?cè)�理、材料合成與潛在應(yīng)用等。全書(shū)共12章，其中第1章總述現(xiàn)有電子相變材料體系以及常見(jiàn)電子相變?cè)�理。由于具有相同的價(jià)電子數(shù)的過(guò)渡族元素的化合物中的軌道構(gòu)型具有一定相近性，第2～11章將進(jìn)一步按照副族周期元素對(duì)三十余種電子