本書梳理和總結(jié)了中國科學院院士、半導體材料及材料物理學家王占國院士近60年從事半導體材料領域科研活動的歷程。主要包括王占國院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研和工作事跡、回憶文章、獲授獎項以及育人情況等內(nèi)容。王占國院士是我國著名的半導體材料及材料物理學家，對推動我國半導體材料科學領域的學術繁榮、學科發(fā)展、

本書在“基于創(chuàng)新思維的工作過程系統(tǒng)化”教學改革成果基礎上，結(jié)合作者多年的工程應用經(jīng)驗進行編寫。全書注重所述知識的工程應用，使讀者在掌握電力電子技術的同時能夠快速掌握工程項目開發(fā)的思路、方法、經(jīng)驗，并培養(yǎng)運用理論解決項目中出現(xiàn)問題的能力。全書設有6個項目，主要內(nèi)容為常用電力電子器件的工作原理與使用特性，以及由這些器件組成

《絕緣體上硅（SOI）技術：制造及應用》的目的是對SOICMOS新技術的進展進行全面介紹。全書分為兩部分：第一部分介紹SOI晶圓片的制造工藝、表征及SOI器件物理；第二部分介紹相關的各種應用。全書既涉及部分耗盡SOI這樣已成熟的技術，也包括全耗盡平面SOI技術、FinFET、射頻、光電子、MEMS以及超低功耗應用這樣一

本書共分7章，主要內(nèi)容包括：SMT簡介、SMT工藝流程及貼裝生產(chǎn)線、錫膏印刷機、SMT貼片技術、SMT焊接技術、SMT檢測技術和SMT管理。

《半導體材料/普通高等教育“十三五”規(guī)劃教材》圍繞第一代到第四代半導體材料和功能半導體材料，較系統(tǒng)地介紹了半導體材料的基本概念、基本理論、性能、制備方法、檢測與測試、設計及應用。全書共7章，包括緒論、半導體材料的物理基礎與效應、半導體材料的分類與性質(zhì)、半導體材料的制備、半導體材料檢測與測試、半導體材料設計和半導體材料的

本書從電力電子到功率集成電路（PIC）、智能功率技術、器件等方面給電源管理和半導體產(chǎn)業(yè)提供了一個完整的描述。本書不僅介紹了集成功率半導體器件，如橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管（LDMOSFET）、橫向絕緣柵雙極型晶體管（LIGBT）和超結(jié)LDMOSFET的內(nèi)部物理現(xiàn)象，還對電源管理系統(tǒng)進行了一個簡單的介紹。本書

本書是固態(tài)電子器件的教材，全書分為固體物理基礎和半導體器件物理兩大部分，共10章。第1章至第4章介紹半導體材料及其生長技術、量子力學基礎、半導體能帶以及過剩載流子。第5章至第10章介紹各種電子器件和集成電路的結(jié)構(gòu)、工作原理以及制造工藝等，包括：p-n結(jié)、金屬-半導體結(jié)、異質(zhì)結(jié)；場效應晶體管；雙極結(jié)型晶體管；光電子器件；

半導體器件數(shù)值模擬計算方法是現(xiàn)代計算數(shù)學和工業(yè)與應用數(shù)學的重要領域。半導體器件數(shù)值模擬是用電子計算機模擬半導體器件內(nèi)部重要的物理特性，獲取有效數(shù)據(jù)，是設計和研制新型半導體器件結(jié)構(gòu)的有效工具。本書主要內(nèi)容包括半導體器件數(shù)值模擬的有限元方法、有限差分方法，半導體問題的區(qū)域分裂和局部加密網(wǎng)格方法，半導體瞬態(tài)問題的塊中心差分方

本書系統(tǒng)并扼要介紹國際上從上世紀八十年代直到今天持續(xù)活躍的關于半導體中氫的研究成果。內(nèi)容涵蓋從半導體中氫原子與分子的最初實驗發(fā)現(xiàn)到氫致缺陷研究（包括國內(nèi)研究人員的貢獻），到硅等元素半導體至砷化鎵，碳化硅等化合物半導體中氫的基本性質(zhì)和重要效應。其中包括對材料和器件研制至關重要的含氫復合物，荷電雜質(zhì)與缺陷的中性化，氫致半導

本書對當前主要應用的薄膜技術及相關設備進行了深入淺出的介紹，主要包括作為*重要的半導體襯底的硅單晶材料學、薄膜基礎知識、PVD技術、CVD技術及其他相關的薄膜加工技術，在對各種技術進行介紹的同時，還對各種技術所應用的設備進行簡要介紹。本書提供配套電子課件。本書作為半導體薄膜技術的入門書籍，既有薄膜技術的基本理論介紹，又